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    SiC激光退火设备

    SiC激光退火设备

    产品特点 1.整机模块化设计与集成，兼容4、6、8英寸薄片晶圆；
    2.集成自研成熟先进激光整形技术，光斑能量高度均匀、稳定；
    3.退火后表面均匀、平整，优秀的电学特性及表面形貌特征表现；
    4.严格控制腔体含氧量，有效控制表面碳析出量和分布；
    5.配置监控与补偿系统，监测光学能量稳定性和非退火面温度；
    6.配备EFEM传输系统，整机符合SEMI标准，支持SECS-GEM通信。

    产品应用

    适用于对重掺杂碳化硅（SiC）表面沉积的过渡金属进行退火，形成良好的欧姆接触。


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    产品参数

    可加工品圆尺寸
    		4inch、6inch、8inch
    薄片退火支持
    光斑整形平顶光
    光斑均匀性>95%
    能量稳定性≤1%
    比电阻接触率≤5×10^(-5)Ω.cm²
    表面温度Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
    腔体含氧量N2/Ar： 99.99%，<100ppm@25s
    运动平台精度

    直线度：±1μm

    重复定位精度：±1μm

    品圆传输

    Automatic transferring

    (compatible to wafer or wafer/w carrier)


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