适用于对重掺杂碳化硅（SiC）表面沉积的过渡金属进行退火，形成良好的欧姆接触。
| 可加工品圆尺寸 | 4inch、6inch、8inch |
| 薄片退火 | 支持 |
| 光斑整形 | 平顶光 |
| 光斑均匀性 | >95% |
| 能量稳定性 | ≤1% |
| 比电阻接触率 | ≤5×10^(-5)Ω.cm² |
| 表面温度 | Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃ |
| 腔体含氧量 | N2/Ar： 99.99%，<100ppm@25s |
| 运动平台精度 | 直线度：±1μm 重复定位精度：±1μm |
| 品圆传输 | Automatic transferring (compatible to wafer or wafer/w carrier) |
![[x]](/public/static/modules/cms/images/closeimgfz1.svg)
![[LOGO]](/public/uploads/images/20240625/68790cfd986d380857333b653744e354.png)
![[LOGO]](/public/uploads/images/20240625/2a4394bff2d43b35b3f15ca583bc67a9.png)
![[→]](/public/static/modules/cms/images/jiguangimgfz1.svg)
![[→]](/public/static/modules/cms/images/zixuniconim2.svg)
![[x]](/public/static/modules/cms/images/closeicon1.png)
![[↓]](/public/static/modules/cms/images/xiangxiaimgfaz1-1.svg)
![[图标]](/public/uploads/images/20220613/fc1c83eb02c951ce168aaebde4fd8205.svg)
![[↑]](/public/static/modules/cms/images/rtxiangshangimg1.svg)